制造芯片离不开光刻机，芯片制程越先进，对光刻机的性能要求也就越高，相应的，制造光刻机的难度也随之增大。
光刻机作为芯片生产的关键设备，被视为国家战略重器之一。它分为EUV和DUV两种类型。EUV光刻机的制造技术方面的要求尤为严格，这属于我国技术领域的短板。
近年来，我国科研院所和高校持续开展科技攻关，逐步攻克制造技术领域的难题。
EUV光刻机技术难度高，目前是我国技术领域的一大短板。然而，众多科研人员正默默耕耘，致力于攻克技术难关，逐步解决先进光刻机制作的完整过程中所面临的种种挑战。
2024年年末，哈尔滨工业大学发布了一则新闻，指出在黑龙江省高校及科研院所职工科学技术创新成果转化大赛中，该校航天学院的赵永蓬教授研发的放电等离子体极紫外光刻光源项目荣获了一等奖。
在介绍放电等离子体极紫外光刻光源项目中，指出该技术能够产生中心波长为13.5纳米的极紫外光，有效满足极紫外光刻领域对光源的紧迫需求。
该技术的应用对于促进我国极紫外光刻技术的发展和解决高端制造业的关键难题起到了积极作用。
项目介绍显示，该技术对于推动我们国家EUV光刻机的技术发展具有深远影响，有效缓解了EUV光刻机制作的完整过程中的光源难题，为整机制造减少了关键的技术障碍。
大家不宜过早乐观，2017年长春光机所已取得EUV光源相关成果，成功绘制出32nm间距线条。
然而，这些技术成果距离EUV光刻机的整机制造仍有很大的差距，目前仅攻克了整机制作的完整过程中的部分技术难题。
EUV光刻机的制造面临诸多挑战，不仅包括极紫外光源技术的难题，还涉及能量控制问题（能量不足导致没办法有效加工芯片）以及确保光线精确照射到晶圆上的问题（需要精密仪器制造出极为光滑的多片透镜和反射镜）。
显而易见，EUV光刻机制造的技术难点众多，但幸运的是，众多科研人员正致力于攻克这些难关。
哈尔滨工业大学于2024年成功攻克了135纳米极紫外光技术，这为我国大国重器建设提供了强有力的支撑；此举减少了先进制程芯片技术的难题，为国内先进光刻机的发展带来了新的希望！
这项技术突破使得我国可以在一定程度上完成该产品的自主生产，同时解决了芯片制造领域的一项卡脖子难题。
这项技术之前主要由日本企业掌握；华科大与某企业的技术突破，成功突破了该企业的技术垄断！
芯片制造技术，是我国为数不多的尚未完全实现自主的行业之一。在面临技术封锁的困境后，众多科研人员振奋精神，努力攻克有关技术的难题。
2024年，哈尔滨工业大学与华中科技大学为国人带来了喜讯，成功突破了技术封锁，实现了自主拥有。
哈尔滨工业大学与华中科技大学的科技成果，只是攻克先进芯片制造领域众多技术难关的阶段性进展；未来仍有许多技术挑战待解。
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