在俄乌冲突的背景环境下，俄罗斯不仅在科技领域遭到打压，在经济方面也遭遇西方全面制裁，特别是在半导体领域，俄罗斯过得异常艰难，ASML响应美国号召以后，俄罗斯不仅失去了芯片产品供应，就连芯片生产设备也无法从西方国家购买，甚至导致俄罗斯的军用武器都没有芯片可用，如今事情迎来了反转，俄罗斯竟然在EUV光刻机领域取得重大突破。
俄罗斯自从被国外芯片供应链排除在外，不管是在民用领域还是在军用方面，都只有少数多的芯片产品应对市场需求，于是俄罗斯通过采用回收冰箱等电子科技类产品，然后拆除里面的芯片，才好不容易满足民用以及军用的基本需求。本来以为俄罗斯以后就要这么下去了，可是让人万万没想到的是，俄罗斯不仅在芯片领域取得重大突破，而且还是全球最为核心的EUV光刻机芯片制造的重要设备。
是的，您没听错，EUV光刻机迎来天大反转，ASML 100%垄断全球的日子已不复存在，如今俄罗斯自研的 EUV 光刻机，已经采用波长为 11.2nm 的氙基镭射光源，全面替代了ASML基于激光轰击金属锡液滴产生的 13.5nm 波长的 EUV 光源系统，而且更重要的是，11.2nm 波长甚至能够将分辨率提高约 20%，这不但可以呈现更精细的细节，同时还可以简化设计并降低光学元件的成本。
不得不说，连中国在光刻机领域都没有迎来这样的突破，俄罗斯竟然做到了，实在是可喜可贺，就连不少专家都认可俄罗斯在技术上的创新，他们声称其采用的 11.2nm 波长镭射光源、无需光掩膜直写光刻以及使用硅基光阻剂等技术，具有独特的优势，有可能是在某些特定的程度上实现对 ASML 的 “换道超车”，ASML也即将地位不保。
外界纷纷报道ASML即将地位不保，简单来说，11.2nm 波长的氙基镭射光源，不仅取代 ASML 基于激光轰击金属锡液滴产生的 13.5nm 极紫外光源，而且还在原有基础上使得分辨率提升约 20%，这一创新不仅在光刻精度上具有优势，而且可能使俄罗斯在特定波长光刻技术方面建立起独特的技术壁垒，到时候就连ASML也不得不依赖俄罗斯技术。
除此之外，由于美国禁止荷兰ASML向中国出货，不仅导致中国没有可用的先进的EUV光刻机，同时也导致ASML在EUV光刻机领域，彻底失去了中国这个大客户，也就是说一旦俄罗斯的光刻机技术，真的可以取代ASML，那么本来属于ASML的中国大客户，到时候就会是俄罗斯的座上宾，荷兰也将因此后悔不已。
俄罗斯之所以这么厉害，其实早在上世纪 70 年代，苏联就已经在极紫外技术上积累了深厚的经验，许多光源理论和光学器件的研发都奠定了坚实的基础。苏联解体后，俄罗斯科学家们继续完善和发展这些技术，为采用 11.2nm 波长的氙基镭射光源提供了理论和实践支撑。特别是俄罗斯科学院微结构物理研究所等科研机构，很早就拥有一批在光刻技术、激光技术等领域经验比较丰富、专业素养高的科研人员。
例如，俄罗斯科学院激光与信息技术研究所是俄罗斯开发大功率 CO₂－激光技术及其设备的主要研究所之一，在激光技术方面有着深厚的研究基础和强大的研发能力，能够为氙基镭射光源的研发提供技术上的支持和创新思路。
为什么专家称俄罗斯的突破具有创新性？为什么外界纷纷认为俄罗斯可以超过荷兰ASML？
首先，11.2nm 波长相比 ASML 的 13.5nm 波长更短，根据光刻原理，波长越短，分辨率越高，因此俄罗斯能制造更精细的芯片图案，只要将芯片图案完美的光刻在晶圆之上，那么就能彻底满足俄罗斯在高端芯片制造领域实现更小制程的需求。
其次，采用 11.2nm 波长的氙基镭射光源可以简化光刻机的设计，减少光学元件的数量和复杂性，以此来降低光学元件的成本。同时，该设计还可减少光学元件的污染，延长核心部件如收集器和保护膜的常规使用的寿命，逐步降低了设备的维护成本。
最后，俄罗斯选择独特的 11.2nm 波长的氙基镭射光源技术路线，使得俄罗斯可以完全绕开 ASML 的技术壁垒，开发全新的配套生态系统，避免与现有 EUV 基础设施产生的兼容性问题，从而建立自己的技术优势和市场地位。
不仅如此，此次报道还间接曝光了俄罗斯在光刻机领域的实力，那就是早在 ASML 研究 EUV 光刻机时，俄罗斯向其提供了大量的光学器件，早期的光源理论也来自俄罗斯科学院，这也就是说俄罗斯是比美国还要率先研发光源技术的国家，特别是俄罗斯还曾经为荷兰开发了多层镜制造技术，这也为荷兰成功研发出EUV光刻机打下了基础。
俄罗斯在 EUV 光刻机领域的突破，打破了 ASML 长期以来在该领域的技术垄断，为全球半导体产业带来了新的竞争态势。这使得全球芯片制造商在光刻机设备采购上有了更多的选择，不再完全依赖 ASML，从而削弱了 ASML 在市场上的绝对主导地位。
俄罗斯的光刻机技术突破，实现了本国在半导体产业关键环节的技术自主，降低了对外部技术的依赖，保障了国家的科技安全和战略自主。这也为其他几个国家提供了借鉴和启示，促使更多国家加大在光刻机技术及其他半导体制造技术上的研发投入，进一步加剧了全球半导体产业的竞争，对 ASML 的市场地位形成了多方位的挑战。
在未来，俄罗斯光刻机技术的发展将带动本国相关产业链的发展，如光学元件、激光技术、电子设计自动化等领域。随着俄罗斯国内产业链的逐步完善和成熟，将形成一个独立的光刻技术产业ECO，这不仅有助于提升俄罗斯的地位和话语权，也可能吸引其他几个国家的企业合作，进一步拓展俄罗斯光刻机技术的市场空间。
目前俄罗斯计划在 2028 年全面投入到正常的使用中 7nm 光刻设备，若能按计划推进，将在高端芯片制造领域取得重大突破，极大提升俄罗斯在全球半导体产业中的地位，满足国内对高端芯片的部分需求，并可能在特定领域与国际领先水平竞争。特别是一旦中国引进俄罗斯的光刻机技术，那么中国将彻底在光刻机领域摆脱依赖，从此做到真正的独立设计且自主研发。
不得不说，从 350nm 工艺到 7nm 工艺是一个巨大的跨越，这里面涉及到光源、光学系统、光刻精度、对准精度等多个关键技术的突破和提升，虽说俄罗斯基本已经解决光源问题，甚至还超越了美国的光源技术，可是如此庞大的芯片制造设备，仍然还需要克服诸多技术难题和工程挑战，研发过程中或许会遇到技术瓶颈和延迟。
特别是由于国际制裁可能会引起一些关键零部件和材料的供应受限，如高精度镜头、光刻胶等，俄罗斯要建立自主可控的供应链体系或寻找替代方案，但这需要大量的时间和资源投入。
总之，俄罗斯光刻机取得突破是好事，对中国半导体产业来说，也是一个巨大的希望，不过俄罗斯在性能、稳定性、生产效率等方面要进一步提升，只有这样才可以在国际市场上获得更加多客户认可和订单，只有这样才可以与现有成熟产品展开激烈竞争，最后也希望俄罗斯能早日打和垄断，不仅是为俄罗斯在半导体领域实现自给自足，也为中国科技产业高质量发展和崛起带来更大的希望。
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